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外国メディアの報道によると、MITの科学者は新しいタイプのトランジスタを開発しました。新しいトランジスタは、材料の原子構造の穴を通過します。これは、電流トランジスタよりも約4倍高速です。
速度を上げるために、科学者は異なるシリコン層とシリコン複合製品にゲルマニウムを配置しました。その後、ゲルマニウム原子をシリコン層と組み合わせました。張力材料により、最上部の材料構造は元の構造よりもコンパクトになりました。植物の形を変えるためにラタンを使用したように聞こえます。
コンパクトな構造により、ゲルマニウム材料の間に穴が強くなり、トランジスタ速度は現在の実験設計の最も2倍であり、市場のトランジスタ速度は4倍です。
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